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業界會有此推估,主要是因為DRAM價格去年大幅下滑,已經壓縮到記憶體廠的獲利能力。由於三星未來發展策略更看重獲利能力,因此,減少資本支出及擴產是很有可能的事,在此一情況下,全球DRAM及NAND Flash的供給量都不會出現失控情況,而

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且隨著智慧型手機搭載的DRAM及NAND Flash容量提高,將可有效讓價格出現回穩情況。

外電報導,外資分析師推估今年全球記憶體資本支出將較去年減少4%,約達502億美元,其中減幅最大的是龍頭大廠三星電子,今年投入記憶體事業的資本支出將較去年減少40億美元規模,年減幅度高達31%。

根據外電報導,全球最大記憶體廠韓國三星電子已不打算犧牲利潤搶市占率,法人圈指出,因為記憶體價格自去年以來跌幅太多,三星可能會大砍今年資本支出40億美元,約較去年減少31%,這代表DRAM及NAND Flash市場供給過剩情況將獲得改善,價格將逐漸回穩。

其中,三星的DRAM產能有70%轉換至20奈米製程後,DRAM的資本支出將較去年減少26億美元,而三星的西安NAND Flash廠開始量產後,NAND Flash資本支出也會下修10億美元左右。

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法人指出,若三星真的在月底法說會中,說明今年投入記憶體的資本支出將明顯減少的話,的確有助於DRAM及NAND Flash價格回穩,其中,DRA

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M市場的反應會比較明顯,價格有機會出現較大的反彈幅度,對於國內DRAM廠南亞科(2408)、華邦電(2344)等將是一大利多。

至於韓國另一記憶體大廠SK海力士應該也會跟進。報告中預估,SK海力士會較著重於將DRAM製程微縮至20奈米,但不太可能大幅投資3D NAND,因為3D NAND的平均價格並不高,卻有很高的技術門檻。

工商時報【涂志豪

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╱台北報導】

集邦科技旗下拓墣產業研究所先前就預估,三星電子今年可能會則逆勢調降整體資本支出約15%,預估會來到115億美元。拓墣表示,2016年三星的智慧型手機業務拓展仍不樂

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觀,除加速開發創新業務,將更加重視晶圓代工業務,採取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的

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資本支出中,大規模集成電路業務會維持與2015年35億美元的相同水準。

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